Toshiba lanzará su memoria Flash NAND de 16-Gb con tecnología de 56 nm
Toshiba desembacra con el chhip de mayor densidad de la industria fabricado con la más moderna tecnología de proceso y deqarrollado en conjunto con SanDisk
Toshiba Corporation reforzando su liderazgo en el desarrollo y fabricación de memoria flash NANDD poderosa y de alta densidad anunció la introducción de memoria flash NAND de 16Gb y 8Gb fabricada con los procesos tecnológicos más modernos de 56 nanómetros y desarrollada en conjunto con la corporación SanDisk de Milpitas California Estados Unidos. El de 16Gb es el chip de memoria flash NAND de más alta densidad creado hasta en este momento.
La adopción de teconlogía MLC y una eficiencia de programación mejorada permiten a los nuevos chips ofrecer mayor densidad y desempeño de escrittura.
La aplicación del proceso tecnológico de 56nm habilita los 16Gb el doble de densidad por chip alcanzada con la tecnología de 8Gb y 70nm logrando así la mayor densidad en un chip de memoria flash NAND.
El desempeño de escrritura de 10 megabytes por segundo es el doble que el de los productos MLC actuaales de Toshiba.
Al combinar proceoss avanzados con tecnología MLC y a través de continuos avances en la eficiencia de producción Toshiba pretende mejorar la competitividad de costo y cumplir con las necesidades del mercado de memorias flash NAND.
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Extraido de mas tecnologia
Toshiba desembacra con el chhip de mayor densidad de la industria fabricado con la más moderna tecnología de proceso y deqarrollado en conjunto con SanDiskToshiba Corporation reforzando su liderazgo en el desarrollo y fabricación de memoria flash NANDD poderosa y de alta densidad anunció la introducción de memoria flash NAND de 16Gb y 8Gb fabricada con los procesos tecnológicos más modernos de 56 nanómetros y desarrollada en conjunto con la corporación SanDisk de Milpitas California Estados Unidos. El de 16Gb es el chip de memoria flash NAND de más alta densidad creado hasta en este momento.
La adopción de teconlogía MLC y una eficiencia de programación mejorada permiten a los nuevos chips ofrecer mayor densidad y desempeño de escrittura.
La aplicación del proceso tecnológico de 56nm habilita los 16Gb el doble de densidad por chip alcanzada con la tecnología de 8Gb y 70nm logrando así la mayor densidad en un chip de memoria flash NAND.
El desempeño de escrritura de 10 megabytes por segundo es el doble que el de los productos MLC actuaales de Toshiba.
Al combinar proceoss avanzados con tecnología MLC y a través de continuos avances en la eficiencia de producción Toshiba pretende mejorar la competitividad de costo y cumplir con las necesidades del mercado de memorias flash NAND.
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